碳化硅陶瓷是一种以碳化硅（SiC）为主要成分的高性能陶瓷材料，具有高硬度（莫氏硬度约9.5）、优异的高温稳定性（可长期使用于1600℃以上环境）、低热膨胀系数、高热导率（约120-200 W/m·K）以及出色的耐化学腐蚀和抗磨损性能。其制备工艺包括反应烧结、无压烧结、热压烧结等方法，通过控制工艺参数可制成致密或多孔结构。碳化硅陶瓷广泛应用于半导体功率器件衬底、高温窑炉部件、机械密封环、防弹装甲、航空航天热防护系统等领域，尤其在新能源、电子电力等高端产业中，因其耐高温、耐高压和高热导特性，成为替代传统材料的关键选择。

碳化硅陶瓷的·综合性能在极端环境下表现尤为突出：

物理性能
碳化硅陶瓷硬度极高（莫氏硬度9.5，显微硬度2200-3000 HV），仅次于金刚石和立方氮化硼，耐磨性远超传统金属；其热导率可达120-200 W/(m·K)，接近铝合金，且热膨胀系数低（4×10⁻⁶/K），在高温骤变环境下抗热震性优异，可耐受1600℃以上长期使用，短时极限温度达2200℃。

化学性能
在强酸（浓硫酸、氢氟酸除外）、强碱及熔融金属（如铝、铜）中表现出卓越的耐腐蚀性，高温氧化环境下表面生成致密SiO₂保护层，抗氧化温度可达1700℃以上，化学稳定性优于氧化铝和氮化硅陶瓷。

电学与机械性能
作为第三代半导体核心材料，其宽带隙（3.26 eV）、高击穿场强（3 MV/cm）及高电子迁移率（900 cm²/(V·s)）使其在高压、高频、高温电子器件（如电动汽车逆变器）中显著降低能耗；机械性能上，抗弯强度300-600 MPa，弹性模量高达400-450 GPa，密度仅为3.1-3.3 g/cm³，兼具轻量化与高刚性，且抗蠕变能力突出，在1600℃下仍保持高强度。

应用特性
在航空航天热防护、核反应堆包壳、高精度轴承及超硬磨具等领域不可替代，被誉为“极端工况材料之王”。